簡(jiǎn)要描述:專門為電子束敏感樣品和需最大300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的先進(jìn)半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計(jì)。
特色
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新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。 0.4 nm / 30 kV (SE) 1.2 nm / 1 kV (SE) 0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和無(wú)與倫比的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
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