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從缺陷防控到標準升級：可焊性在現代電子制造中的關鍵作用焊點可焊性直接決定了焊接連接的質量優劣，進而顯著影響電子產品的可靠性。可焊性不足會引發多種焊接缺陷，典型的包括虛焊（干焊、假焊）、冷焊、開路、空洞(氣泡)、微裂紋等。下面我們會逐一介紹這些缺陷及其對產品性能和壽命的影響。

20258-2
現代電子制造中對可焊性提出更高要求的必然性可焊性通常指電子元器件引腳、印制板焊盤及焊料在規定工藝條件下形成良好焊接連接的能力，它直接關系到電子產品組裝中焊點質量和可靠性。焊接是電子制造中關鍵環節，據統計約有 60%?的電子產品早期失效與焊接質量問題有關。

20257-19
超聲波顯微鏡工作原理超聲波顯微鏡的發展歷史可以追溯到19世紀末和20世紀初，這一時期物理學上發現了壓電效應與反壓電效應，這為利用電子學技術產生超聲波提供了可能，從而揭開了超聲技術發展的序幕。

20257-17
芯片開蓋機在數據恢復中的輔助作用雖然芯片開蓋機在數據恢復中的輔助作用并不直接或顯著，但在特定情境下（如存儲設備芯片級故障時），了解芯片開蓋技術可能對數據恢復工作具有一定的啟示意義。

20255-28
一文了解焊接可靠性標準：J-STD-002E 與 IPC-TM-650J-STD-002E是由EIA、IPC和JEDEC聯合制定的電子元器件可焊性測試標準，最新版E版發布于2017年（替代2013年的D版）。IPC-TM-650則是IPC協會發布的測試方法手冊，收錄了電子組裝領域各類測試規范，包括可焊性、助焊劑性能等多項實驗方法。兩者均涵蓋了評估焊接可靠性的經典測試手段。下面重點介紹其中幾種關鍵的測試方法及其原理。

20254-14
消費電子行業中的焊接可靠性當今的消費電子產品（如智能手機、平板電腦、超薄電視和各類智能家電）都在追求輕薄短小的同時，內部卻承載著高度集成的電路系統。以智能手機為例，其主板上可能安裝有成百上千個元器件，包括處理器芯片、存儲器、傳感器、微型連接器以及眾多被動元件。這些元器件通過數以千計的焊點與印制電路板（PCB）相連，形成復雜而緊湊的電子網絡。每一個焊點的可靠連接對于整機功能而言都是不可或缺的：只要其中一個連接不牢靠，設備就可能出現故障。

20254-3
可焊性測試在PCB行業中的應用在智能制造和工業4.0的浪潮中，隨著精密化制造的推進和新材料、新工藝的出現，PCB生產工藝將向著更加細致和自動化的方向發展。可焊性測試儀的應用不僅限于單一的質量控制點，而是成為全流程質量監控的重要一環。未來，這些測試技術將與人工智能、大數據等技術結合，為生產過程提供更加精準的決策支持，使整個PCB生產流程在保障質量的同時，提升生產效率，減少不良品和返修率，滿足日益嚴苛的市場需求。

20253-1
可焊性測試儀使用技巧與維護可焊性測試儀的使用技巧與維護對于確保測試結果的準確性和設備的長期穩定運行至關重要。遵循正確的使用方法和維護程序，可以較大限度地提高設備的性能和可靠性。

20252-27
回流焊熱形變測試的方法及標準回流焊是一種在電子制造中常用的工藝，過程中因加熱等因素，元件和電路板可能會發生熱形變。熱形變測試旨在檢測這種變化，以確保產品的質量和生產效率。以下是回流焊熱形變測試的方法及標準

202412-5
體視顯微鏡和光學顯微鏡的區別體視顯微鏡和光學顯微鏡是兩種常見的顯微鏡設備，它們在多個方面存在顯著的區別。以下是對這兩種顯微鏡的詳細比較

202411-28
可焊性測試當中的Ta和Tb我們在使用可焊性測試儀（也可稱為沾錫天平、浸潤天平或者潤濕天平）對樣品進行可焊性測試的過程中，會遇到兩個比較重要的時間節點：Ta和Tb，他們確實都涉及到潤濕力和浮力達到平衡的狀態，但它們在測試過程和結果解釋上存在明顯的區別。

202411-19
RIE反應離子刻蝕機的應用RIE（Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕）反應離子刻蝕機是一種在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的設備，它結合了物理轟擊與化學反應的雙重作用。以下是RIE反應離子刻蝕機的主要應用領域

202411-9
芯片開蓋機的原理有哪些？芯片開蓋機，也稱為芯片開封機，主要用于去除芯片的封裝材料，以便觀察和分析芯片內部結構，同時保持芯片功能的完整性。其工作原理可以根據不同類型的芯片開蓋機而有所不同，但總體上可以分為以下幾種類型及其對應的工作原理

202410-29
先進封裝：TSV硅通孔與 TGV 玻璃通孔硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）是一種前沿的封裝技術，通過在硅片中垂直穿透，實現不同芯片或層之間的功能集成。TSV 主要采用銅等導電材料填充硅通孔，以實現硅片內部的垂直電氣連接。這種技術能夠減少信號傳輸的延遲，降低電容和電感，從而實現芯片的低功耗和高速通信，提升帶寬，并滿足器件集成的小型化需求。在此之前，芯片之間的大多數連接都是水平的，TSV 的誕生讓垂直堆疊多個芯片成為可能。Wire bonding（引線鍵合）和 Flip-Chip（倒裝焊）的 Bumping（凸點）提供了芯片對外部的電互連，RDL(再布線)提供了芯片內部水平方向的電互連，TSV 則提供了硅片內部垂直方向的電互連。

202410-23
RIE反應離子刻蝕機的主要工藝參數RIE反應離子刻蝕機的主要工藝參數涉及射頻源、腔體及刻蝕、真空系統、氣路系統以及其他多個方面。這些參數共同決定了RIE設備的刻蝕性能和應用范圍。

202410-18

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